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IRLR7843TRPBF  与  IPD031N03L G  区别

型号 IRLR7843TRPBF IPD031N03L G
唯样编号 A-IRLR7843TRPBF A-IPD031N03L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 140 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@15A,10V 2.6mΩ
上升时间 - 6ns
Qg-栅极电荷 - 33nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 50S
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 161A 90A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4380pF @ 15V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4380pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR7843TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
359 对比
IPD90N03S4L-03 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N03S4L03ATMA1_PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
IRLR7843TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD031N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IPD031N03LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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